6月26-28日，IPF 2024碳化硅功率器件制造與應用測試大會在無錫市錫山圓滿舉行。大會以“穿越周期，韌性增長”為主題，解構SiC市場增長確定性與新業(yè)態(tài)模式、前沿技術趨勢以及落地應用進程，近千名產(chǎn)業(yè)鏈技術專家齊聚。

會上，三安應用技術總監(jiān)姚晨發(fā)表了精彩的技術報告。報告首先基于SiC寬禁帶材料的特點，剖析了SiC二極管與MOSFET器件耐高電壓、高頻、高溫的特性，以及其在新能源汽車、電源領域的應用優(yōu)勢。隨后指出了當前影響SiC功率器件更大范圍推廣應用的關鍵痛點，如成本、可靠性、短路、驅動等問題，并說明了行業(yè)解決方案。

在報告的核心部分，姚晨根據(jù)三安全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)特點，分別從晶圓、外延、芯片、封裝以及應用多個方面詳細闡述了SiC功率器件對于半導體先進技術與工藝的需求。他認為，要充分發(fā)揮SiC功率器件的潛力、開拓更廣范圍的應用市場占比，必須突破現(xiàn)有技術與工藝的局限，如8英寸晶圓的量產(chǎn)與切割、高質(zhì)量低缺陷的外延、柵氧可靠的低比導通電阻芯片以及耐高結溫且功率循環(huán)壽命高的先進封裝。他強調(diào)了三安在技術研發(fā)和工藝創(chuàng)新方面取得的突破，并指出垂直整合模式在先進技術與工藝的持續(xù)驗證與迭代方面具有顯著優(yōu)勢，可以實現(xiàn)無縫銜接的反饋，促進健康閉環(huán)。此外，他還分享了三安在SiC功率器件領域的最新進展，包括已成功開發(fā)出的高性能、高可靠性的SiC二極管和SiC MOSFET等。

作為我國半導體行業(yè)的代表性企業(yè)之一，三安一直致力于SiC功率器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。此次參會，不僅展示了三安在SiC領域的先進理念和技術，也為行業(yè)的發(fā)展提供了有益的借鑒。

IPF 2024碳化硅功率器件大會的成功舉辦，為我國SiC功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了有力支持。三安將繼續(xù)發(fā)揮自身優(yōu)勢，攜手行業(yè)伙伴，共同推動我國SiC功率器件技術邁向更高水平。