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技術(shù)創(chuàng)新

以科技洞悉未來(lái),唯創(chuàng)新賦能發(fā)展

三安擁有國(guó)家級(jí)企業(yè)技術(shù)中心、博士后科研工作站、省市級(jí)重點(diǎn)工作室、院士工作站等國(guó)家級(jí)一流研發(fā)平臺(tái)和CNAS/NVLAP國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)平臺(tái)。

公司擁有的外籍專(zhuān)家、博士,高工、碩士,光電子專(zhuān)業(yè)本科等研發(fā)人才眾多。未來(lái),持續(xù)加大研發(fā)力度,不斷科技創(chuàng)新,追求卓越發(fā)展。

4700+

研發(fā)人員

10+億元

每年投入研發(fā)費(fèi)用

10 %

每年研發(fā)投入占比

研發(fā)中心

全產(chǎn)品覆蓋布局,中、美、日、歐洲等全球多個(gè)國(guó)家和地區(qū)布局,為公司構(gòu)筑堅(jiān)實(shí)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)壁壘。

800+

國(guó)際專(zhuān)利

70%+

發(fā)明專(zhuān)利占比

4000+

產(chǎn)品專(zhuān)利總量

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技術(shù)成果

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    照明

    自主可控的高可靠、高光效白光LED,@25mA條件下,發(fā)光效率超過(guò)290lm/W 。

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    顯示

    開(kāi)發(fā)出邊長(zhǎng)小于等于5μm的Micro LED產(chǎn)品。

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    背光

    大于等于160度大角度,高可靠Mini 背光產(chǎn)品。

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    車(chē)用

    4A高電流密度下, 車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用3000小時(shí);1A驅(qū)動(dòng)電流,工作電壓下降至3.02V,國(guó)際領(lǐng)先水準(zhǔn)。

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    植物照明

    660nm紅光 WPE 達(dá)到65%以上 (@350mA 裸晶) 達(dá)到國(guó)際水準(zhǔn)。

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    shujuguolvfangchaguolvdeng1ziwai.svg
    紫外

    波段涵蓋260nm~415nm,大功率最高可達(dá)150mW(@350mA)。

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    激光

    技術(shù)攻關(guān)超8瓦大功率 InGaN藍(lán)光激光器,達(dá) 到國(guó)際水準(zhǔn)。

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    先進(jìn)砷化鎵微波射頻代工平臺(tái)

    提供先進(jìn)微波射頻制程技術(shù),主要包含HBT,pHEMT,組成業(yè)內(nèi)領(lǐng)先,覆蓋頻譜全面的微波射頻制程技術(shù)型譜,提供先進(jìn)便利的射頻技術(shù)平臺(tái)與服務(wù)助力產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。

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    寬禁帶半導(dǎo)體垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈

    打造了從長(zhǎng)晶、襯底、外延、芯片到封裝測(cè)試的碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈,加速功率器件產(chǎn)業(yè)化和高能效應(yīng)用的普及。

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    全波長(zhǎng)全速率收發(fā)光芯片型譜

    提供全波長(zhǎng)全速率的VCSEL芯片及陣列、DFB激光器、雪崩光電二極管(APDs)、光電二極管、監(jiān)控光電二極管(MPDs)等高速光學(xué)產(chǎn)品的晶圓制造。

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    自研襯底的垂直整合濾波器制造平臺(tái)

    濾波器已通過(guò)全球射頻前端主流平臺(tái)驗(yàn)證,擁有國(guó)內(nèi)多家領(lǐng)先的模塊和手機(jī)合作伙伴,具備高質(zhì)量4寸鉭酸鋰襯底生產(chǎn)能力,器件級(jí)小型化、CPS、晶圓級(jí)WLP封裝能力。